Methods of forming transistor contacts and via openings

WO2008103705 Art A2 28. August 2008

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008103705
Aktenzeichen
EP08730221
Anmeldetag
20. Februar 2008
Veröffentlichung
28. August 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/28
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Intel Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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