Method for manufacturing silicon single crystal wafer

WO2008105136 Art A1 4. September 2008

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008105136
Aktenzeichen: EP08702811
Anmeldetag: 24. Januar 2008
Veröffentlichung: 4. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/00H01L21/26H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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