Zno semiconductor layer, method for producing the same, and semiconductor light-emitting device
WO2008105171
Art A1
4. September 2008
Anmelder: Stanley Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008105171
- Aktenzeichen
- EP08710501
- Anmeldetag
- 26. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 4. September 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01S5/327
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Stanley Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Stanley Electric
Japanischer Zulieferer, spezialisiert auf Fahrzeugbeleuchtung wie Scheinwerfer und Rücklichter sowie LED- und optoelektronische Bauteile.
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