Gate dielectric structures, organic semiconductors, thin film transistors and related methods

WO2008105816 Art A2 4. September 2008

Anmelder: Northwestern University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008105816
Aktenzeichen: EP07873743
Anmeldetag: 22. August 2007
Veröffentlichung: 4. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/00H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northwestern University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northwestern University

Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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