Improved Light Emission From Silicon-Based Nanocrystals By Sequential Thermal Annealing Approaches
WO2008105864
Art A2
4. September 2008
Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008105864
- Aktenzeichen
- EP07873734
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 4. September 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Massachusetts Institute of Technology
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
5.635 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.