Formation of fully silicided gate with oxide barrier on the source/drain silicide regions

WO2008106413 Art A2 4. September 2008

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008106413
Aktenzeichen: EP08730693
Anmeldetag: 26. Februar 2008
Veröffentlichung: 4. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/425H01L29/94

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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