Process for fabricating a substrate comprising a deposited buried oxide layer

WO2008107751 Art A1 12. September 2008

Anmelder: S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008107751
Aktenzeichen: EP08709846
Anmeldetag: 12. Februar 2008
Veröffentlichung: 12. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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