N-type carbon semiconductor film and semiconductor device utilizing the same

WO2008108009 Art A1 12. September 2008

Anmelder: Tokyo Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008108009
Aktenzeichen: EP07743256
Anmeldetag: 8. Mai 2007
Veröffentlichung: 12. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/16H01L31/04

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Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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