Semiconductor device, its manufacturing method, and magnetic memory element

WO2008108264 Art A1 12. September 2008

Anmelder: Renesas Technology Corp., Grandis, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008108264
Aktenzeichen: EP08720991
Anmeldetag: 28. Februar 2008
Veröffentlichung: 12. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246G11C11/15H01L27/10H01L27/105H01L29/82H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Technology Corp.
Grandis, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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