Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

WO2008108299 Art A1 12. September 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008108299
Aktenzeichen: EP08721086
Anmeldetag: 29. Februar 2008
Veröffentlichung: 12. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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