Semiconductor device employing graphene and method for fabricating the same

WO2008108383 Art A1 12. September 2008

Anmelder: NEC Corporation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute of Advanced Industrial Science And Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008108383
Aktenzeichen: EP08721319
Anmeldetag: 27. Februar 2008
Veröffentlichung: 12. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/8238H01L21/8244H01L27/092H01L27/11H01L29/06H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute of Advanced Industrial Science And Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

27.380 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von