Technique for atomic layer deposition

WO2008108754 Art A1 12. September 2008

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., NorthEastern University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008108754
Aktenzeichen: EP07752310
Anmeldetag: 6. März 2007
Veröffentlichung: 12. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/24C23C16/452C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
NorthEastern University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

690 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 Northeastern University (Boston)

Northeastern University ist eine private Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Boston, USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt um Metallurgie und Halbleiterbauelemente. Anmeldungen sind seit 2002 belegt.

527 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von