Hetero-crystalline semiconductor device and method of making same

WO2008108981 Art A1 12. September 2008

Anmelder: Hewlett-Packard Development Company, L.P. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008108981
Aktenzeichen: EP08726265
Anmeldetag: 28. Februar 2008
Veröffentlichung: 12. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20B82B3/00B82B1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hewlett-Packard Development Company, L.P.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Hewlett-Packard

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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