Chemical vapor-phase growing apparatus, method of forming film and process for producing semiconductor device

WO2008111231 Art A1 18. September 2008

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008111231
Aktenzeichen: EP07738737
Anmeldetag: 15. März 2007
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/34H01L21/285H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

17.891 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von