Semiconductor device having first electrode and second electrode and its manufacturing method

WO2008111269 Art A1 18. September 2008

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008111269
Aktenzeichen: EP07832748
Anmeldetag: 29. November 2007
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12H01L21/28H01L21/337H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/739H01L29/749H01L29/78H01L29/80H01L29/808H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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