Method of forming film of group iii nitride such as gallium nitride

WO2008111401 Art A1 18. September 2008

Anmelder: Sekisui Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008111401
Aktenzeichen: EP08712085
Anmeldetag: 28. Februar 2008
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34C30B29/38H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sekisui Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sekisui Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Osaka, tätig in den Bereichen Hochleistungskunststoffe, Bauelemente und elektronische Materialien.

2.973 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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