Method for forming nitride semiconductor laminated structure and method for manufacturing nitride semiconductor element

WO2008111518 Art A1 18. September 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008111518
Aktenzeichen: EP08721597
Anmeldetag: 7. März 2008
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/20H01L21/205H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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