An integrated circuit structure and a method of forming the same

WO2008111914 Art A1 18. September 2008

Anmelder: Nanyang Technological University 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008111914
Aktenzeichen: EP08712893
Anmeldetag: 29. Februar 2008
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/70H01Q1/52H01L23/12H01Q23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nanyang Technological University
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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