Zinc oxide diodes for optical interconnections

WO2008112075 Art A1 18. September 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008112075
Aktenzeichen: EP08726089
Anmeldetag: 26. Februar 2008
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G02B6/43H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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