Method to fabricate iii-n field effect transistors using ion implantation with reduced dopant activation and damage recovery temperature

WO2008112185 Art A1 18. September 2008

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008112185
Aktenzeichen: EP08726640
Anmeldetag: 10. März 2008
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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