Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate processing uniformity

WO2008112673 Art A2 18. September 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008112673
Aktenzeichen: EP08731873
Anmeldetag: 11. März 2008
Veröffentlichung: 18. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00H01L21/687

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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