Metal pads with reduced parasitic capacitance

WO2008114208 Art A2 25. September 2008

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008114208
Aktenzeichen: EP08719739
Anmeldetag: 17. März 2008
Veröffentlichung: 25. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/485

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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