Magnetron sputtering apparatus
WO2008114718
Art A1
25. September 2008
Anmelder: National University Corporation Tohoku University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008114718
- Aktenzeichen
- EP08722126
- Anmeldetag
- 14. März 2008
- Veröffentlichung
- 25. September 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/35H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National University Corporation Tohoku University
Tokyo Electron Limited - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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