Nitride Semiconductor Substrate

WO2008114772 Art A1 25. September 2008

Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008114772
Aktenzeichen: EP08722259
Anmeldetag: 17. März 2008
Veröffentlichung: 25. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hamamatsu Photonics K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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