Method for forming ohmic electrode on p-type 4h-sic substrate

WO2008114838 Art A1 25. September 2008

Anmelder: Osaka University, Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008114838
Aktenzeichen: EP08722530
Anmeldetag: 13. März 2008
Veröffentlichung: 25. September 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/331H01L21/336H01L29/12H01L29/73H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Osaka University
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

2.434 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.492 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von