Process for producing nitride single crystal
WO2008117571
Art A1
2. Oktober 2008
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., Mori, Yusuke 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008117571
- Aktenzeichen
- EP08710826
- Anmeldetag
- 30. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B19/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
Mori, Yusuke - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.