Method for forming metal film using carbonyl material, method for forming multilayered wiring structure, method for manufacturing semiconductor device, and film forming apparatus

WO2008117582 Art A1 2. Oktober 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008117582
Aktenzeichen: EP08711298
Anmeldetag: 14. Februar 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285C23C16/16H01L21/3205H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von