Interposer substrate, lsi chip and information terminal device using the interposer substrate, interposer substrate manufacturing method, and lsi chip manufacturing method

WO2008117736 Art A1 2. Oktober 2008

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008117736
Aktenzeichen: EP08722579
Anmeldetag: 21. März 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L23/12H01L25/04H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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