Method for forming silicon nitride film, method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device, nonvolatile semiconductor memory device and plasma processing apparatus

WO2008117798 Art A1 2. Oktober 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008117798
Aktenzeichen: EP08722779
Anmeldetag: 25. März 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/31H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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