Noncrystalline oxide semiconductor thin film, process for producing the noncrystalline oxide semiconductor thin film, process for producing thin-film transistor, field-effect transistor, light emitting device, display device, and sputtering target

WO2008117810 Art A1 2. Oktober 2008

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008117810
Aktenzeichen: EP08738860
Anmeldetag: 26. März 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/08C23C14/34G09F9/30H01L21/306H01L21/336H01L21/363H01L51/50H05B33/14

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von