Resist lower layer film composition and method for forming dual damascene structure

WO2008117867 Art A1 2. Oktober 2008

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008117867
Aktenzeichen: EP08739249
Anmeldetag: 28. März 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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