Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphipilic monolayers
WO2008118635
Art A2
2. Oktober 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008118635
- Aktenzeichen
- EP08731947
- Anmeldetag
- 12. März 2008
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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