Apparatus and methods of forming a gas cluster ion beam using a low-pressure source
WO2008118738
Art A2
2. Oktober 2008
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008118738
- Aktenzeichen
- EP08744116
- Anmeldetag
- 20. März 2008
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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