Semiconductor device manufactured using an improved plasma etch process for a fully silicided gate flow process

WO2008118837 Art A1 2. Oktober 2008

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008118837
Aktenzeichen: EP08732746
Anmeldetag: 24. März 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/4763H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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