Design for test feature to improve dram charge retention yield

WO2008118912 Art A1 2. Oktober 2008

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008118912
Aktenzeichen: EP08744333
Anmeldetag: 25. März 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/401G11C11/402G11C11/403

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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