Improved method of reducing channeling of ion implants using a sacrificial scattering layer
WO2008119038
Art A2
2. Oktober 2008
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008119038
- Aktenzeichen
- EP08732948
- Anmeldetag
- 27. März 2008
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/425H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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