Method of growing single crystal and single crystal pulling apparatus

WO2008120435 Art A1 9. Oktober 2008

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008120435
Aktenzeichen: EP08720295
Anmeldetag: 28. Februar 2008
Veröffentlichung: 9. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/10C30B30/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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