Deposition source unit, deposition apparatus and temperature control apparatus for deposition source unit

WO2008120610 Art A1 9. Oktober 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008120610
Aktenzeichen: EP08738814
Anmeldetag: 25. März 2008
Veröffentlichung: 9. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/448C23C14/24H01L51/50H05B33/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von