Non-volatile multilevel memory cell programming with more than two verify voltages per level

WO2008121351 Art A1 9. Oktober 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008121351
Aktenzeichen: EP08742366
Anmeldetag: 28. März 2008
Veröffentlichung: 9. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/56G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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