Methods of forming improved epi fill on narrow isolation bounded source/drain regions and structures formed thereby

WO2008121855 Art A1 9. Oktober 2008

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008121855
Aktenzeichen: EP08744651
Anmeldetag: 28. März 2008
Veröffentlichung: 9. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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