Method to fabricate iii-n semiconductor devices on the n-face of layers which are grown in the iii-face direction using wafer bonding and substrate removal

WO2008121976 Art A2 9. Oktober 2008

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008121976
Aktenzeichen: EP08744802
Anmeldetag: 31. März 2008
Veröffentlichung: 9. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/04H01L33/00

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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