Semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2008123020 Art A1 16. Oktober 2008

Anmelder: Sanyo Electric Co., Ltd., Sanyo Semiconductor Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008123020
Aktenzeichen: EP08710816
Anmeldetag: 30. Januar 2008
Veröffentlichung: 16. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L31/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sanyo Electric Co., Ltd.
Sanyo Semiconductor Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

4.660 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von