Soi substrate and method for manufacturing soi substrate

WO2008123117 Art A1 16. Oktober 2008

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008123117
Aktenzeichen: EP08722539
Anmeldetag: 14. März 2008
Veröffentlichung: 16. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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