Silicon nitride film and nonvolatile semiconductor memory device

WO2008123289 Art A1 16. Oktober 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Hiroshima University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008123289
Aktenzeichen: EP08722844
Anmeldetag: 26. März 2008
Veröffentlichung: 16. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L21/31H01L21/318H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Hiroshima University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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🇯🇵 Hiroshima University

Die Hiroshima University ist eine staatliche japanische Universität mit breiter Forschung in Medizin, Pharmazie und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma- und Biotechnologie sowie Medizintechnik, ergänzt durch organische Chemie und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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