Method for forming ferromagnetic body, transistor and method for manufacturing the transistor
WO2008123321
Art A1
16. Oktober 2008
Anmelder: Tokyo Institute of Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008123321
- Aktenzeichen
- EP08738954
- Anmeldetag
- 26. März 2008
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/82C22C19/07C22C30/00H01F10/12H01F41/22H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Institute of Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Institute of Technology
Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.
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