Method and system for distributing gas for a bevel edge etcher

WO2008124350 Art A1 16. Oktober 2008

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008124350
Aktenzeichen: EP08744697
Anmeldetag: 28. März 2008
Veröffentlichung: 16. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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