Deposition precursors for semiconductor applications
WO2008124599
Art A1
16. Oktober 2008
Anmelder: Praxair Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008124599
- Aktenzeichen
- EP08745120
- Anmeldetag
- 4. April 2008
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C07F15/06C23C16/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Praxair Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Praxair Technology
US-amerikanisches Unternehmen im Bereich Industriegase, das Verfahren und Technologien zur Gasproduktion entwickelt, heute Teil des Linde-Konzerns.
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