Nonvolatile semiconductor storage device, and its manufacturing method

WO2008126177 Art A1 23. Oktober 2008

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008126177
Aktenzeichen: EP07738543
Anmeldetag: 14. März 2007
Veröffentlichung: 23. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/10H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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