Resin for formation of upper antireflective film, composition for formation of upper antireflective film, and resist pattern formation method

WO2008126625 Art A1 23. Oktober 2008

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008126625
Aktenzeichen: EP08722062
Anmeldetag: 13. März 2008
Veröffentlichung: 23. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C08F12/32G03F7/11H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von