Semiconductor device having hetero junction

WO2008126821 Art A1 23. Oktober 2008

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008126821
Aktenzeichen
EP08739972
Anmeldetag
7. April 2008
Veröffentlichung
23. Oktober 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/12H01L21/336H01L21/338H01L29/778H01L29/78H01L29/80H01L29/812
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho

Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, bekannt als Toyota Central R&D Labs, ist die zentrale Forschungseinrichtung des japanischen Toyota-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Verfahrenstechnik, ergänzt um Werkstoffchemie und Antriebstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

431 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.492 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen